RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2589
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link