RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
36
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3704
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link