RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
36
En -112% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
17
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3704
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link