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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
AMD AE34G2139U2 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G2139U2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
56
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1462
2709
AMD AE34G2139U2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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