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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
AMD AE34G2139U2 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G2139U2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
56
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1462
2709
AMD AE34G2139U2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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