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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G2139U2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD AE34G2139U2 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
56
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
30
Velocità di lettura, GB/s
7.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1462
2709
AMD AE34G2139U2 4GB Confronto tra le RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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