RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3299
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link