RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3299
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link