Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 43

Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 28
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 17.3
Скорость записи, Гб/сек

9.6 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 3299

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB

Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9965600-011.A01G 16GB

Kingston 9965600-011.A01G 16GB

модули RAM