RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3299
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link