RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
22.8
Скорость записи, Гб/сек
9.3
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2402
3792
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link