RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3426
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link