RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3426
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link