RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сравнить
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,973.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,967.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,973.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
3257
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link