Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 79
    Около 67% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 2,121.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 5300
    Около 2% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 79
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 2,925.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 2,121.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2143 left arrow 750
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения