RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
79
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,121.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
10600
5300
Около 2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR2
Задержка в PassMark, нс
26
79
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
2,925.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
2,121.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
5300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
750
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link