Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 79
    Intorno 67% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 5300
    Intorno 2% larghezza di banda superiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 12.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 79
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.8 left arrow 2,925.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2143 left arrow 750
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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