RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
79
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,121.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
5300
Intorno 2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR2
Latenza in PassMark, ns
26
79
Velocità di lettura, GB/s
12.8
2,925.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
2,121.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
5300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
750
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link