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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
79
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,121.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
5300
Intorno 2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
12.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR2
Latenza in PassMark, ns
26
79
Velocità di lettura, GB/s
12.8
2,925.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
2,121.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
5300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
750
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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