Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

总分
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

总分
star star star star star
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 79
    左右 67% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    10600 left arrow 5300
    左右 2% 更高的带宽
  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 12.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    26 left arrow 79
  • 读取速度,GB/s
    12.8 left arrow 2,925.4
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 750
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较