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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Pontuação geral
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 79
    Por volta de 67% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 5300
    Por volta de 2% maior largura de banda
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB Razões a considerar
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 12.8
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 79
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.8 left arrow 2,925.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 5300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2143 left arrow 750

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB Comparações de RAM

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Memória RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Memória RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Memória RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Memória RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Memória RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Memória RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Memória RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Memória RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Memória RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Memória RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Memória RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
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