Comparación de la memoria RAM Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Puntuación global

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 79

En 67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 2,121.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

10600 5300

En 2% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2143 750

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns