Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Note globale
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Note globale
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SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 79
    Autour de 67% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 5300
    Autour de 2% bande passante supérieure
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 12.8
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    26 left arrow 79
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.8 left arrow 2,925.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.0 left arrow 2,121.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 5300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2143 left arrow 750
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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