Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

24 30

En 20% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.5 12.3

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

23400 19200

En 1.22 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2925 2709

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns