RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2709
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link