RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3142
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link