RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
36
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
3142
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link