RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2371
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link