RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
70
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1934
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link