RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
70
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
70
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
1934
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link