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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
36
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
16.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3729
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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