RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
61
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,077.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
2483
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link