RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
61
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
2,077.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
38
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2483
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link