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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
61
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
2,077.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
2319
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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