RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
61
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,077.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2319
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Inmos + 256MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link