RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Porównaj
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB vs Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
374
Wokół strony -513% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
1.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
374
61
Prędkość odczytu, GB/s
0.8
3,835.2
Prędkość zapisu, GB/s
1.0
2,077.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
6400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
269
606
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA4-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link