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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Comparez
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB vs Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
61
374
Autour de -513% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
0.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
1.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR2
Latence dans PassMark, ns
374
61
Vitesse de lecture, GB/s
0.8
3,835.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1.0
2,077.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
6400
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
269
606
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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