RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
61
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
2981
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link