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Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
81
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
81
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,885.7
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
874.3
8.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
277
2271
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
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