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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
68
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.6
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
3.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.6
6.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.6
4.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
12800
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
921
1209
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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