Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 36
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.4 left arrow 6.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 3.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 8500
    Rund um 2.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    31 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.6 left arrow 15.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.6 left arrow 11.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    921 left arrow 2320
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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