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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
6.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
36
读取速度,GB/s
6.6
15.4
写入速度,GB/s
3.6
11.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
921
2320
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
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