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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
比较
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
总分
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
总分
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
101
左右 66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
101
读取速度,GB/s
13.1
14.2
写入速度,GB/s
8.1
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2393
1399
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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