RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Porównaj
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
101
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
101
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2393
1399
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link