RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Сравнить
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB против Kingston 9905704-007.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
101
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
101
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2393
1399
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link