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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
66
读取速度,GB/s
15.0
16.7
写入速度,GB/s
10.3
8.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
1912
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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