RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
66
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
1912
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link