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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
66
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
66
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1912
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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