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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Pontuação geral
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 66
    Por volta de 45% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 8.5
    Valor médio nos testes
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.7 left arrow 15
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    36 left arrow 66
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.0 left arrow 16.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.3 left arrow 8.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2569 left arrow 1912

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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