RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3079
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link