Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 16.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,123.3 12.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 59

Wokół strony -90% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 , 1.20000005, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

731 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns