Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Note globale
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 59
    Autour de -90% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    731 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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