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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
59
Autour de -90% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
no data
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3043
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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