Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 59
    Por volta de -90% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 3043
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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