Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 59
    En -90% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    731 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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