RAM-Vergleich Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 16.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,123.3 12.4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 59

Rund um -90% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 , 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

731 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns