Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 59
    Rund um -90% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    731 left arrow 3043
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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